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使得在所述印刷电路装配件中的每个印刷电路装配件上的散热器的顶表面与另一个印刷电路装配件上的热接口材料层接触，并且与所述热接口材料层热耦联。图5是移除了双列直插式存储模块组件的印刷电路装配件的图。图6是印刷电路装配件的图，包括已安装在印刷电路板插座中的双列直插式存储模块组件200并且包括已附接的分流管。图7a和图7b示出了根据一个实施例的、特征在于外部铰链的双列直插式存储模块组件。图8a和图8b示出了根据一个实施例的、特征在于内部铰链的双列直插式存储模块组件。图9示出了根据一个实施例的流程。附图是非详尽的，并且不限制本公开至所公开的精确形式。具体实施方式诸如双列直插式存储模块(dimm)的集成电路产生大量的热量，特别是在高密度配置中。现有许多技术对集成电路进行冷却，但是存在许多与这些现有技术相关的缺点。空气冷却是嘈杂的，并且因此当靠近办公室人员/在工作环境中布置时是不期望的。当需要维护双列直插式存储模块时，液体浸入式冷却是杂乱的。另一种方法使用将双列直插式存储模块封装在散热器中的双列直插式存储模块组件，所述散热器热耦联至循环制冷液体的冷却管。所公开的实施例以两个系统板为一对。上海海谷电子有限公司致力于提供电子料回收，欢迎新老客户来电！吉林收购电子元器件回收中心

分类器电路80接收反映关于参考分类的信息的一参考电压vc。通过人工比较一预设电压vt和实际电压vout来获取参考分类。预设电压vt的微分决定信号dout于规范中规定的预设回转率。随后，分类器电路80通过比较预设电压vt和实际电压vout来产生反映关于不成熟分类的信息的电压vl。在训练阶段312中，分类器电路80基于不成熟分类和参考分类将预设电压vt更新为一经学习电压。经学习电压包括神经网络32的经加权值。mlc42基于经学习电压调整信号dout的回转率。在推理/分类阶段314中，分类器电路80基于经学习电压产生经配置以调整信号dout的回转率的预测。图10是根据本公开的一些实施例的图9的测量电路60的电路图。参照图10，测量电路60包括取样保持(s/h)电路600和602，以及一减法器604。s/h电路600经配置以对信号dout的一电压v1进行取样。在一些实施例中，s/h电路600包括一开关、一电容器和一以操作放大器为基底所组成的放大器。在一些实施例中，s/h电路600包括任何已知的s/h电路。s/h电路602经配置以对信号dout的一第二电压v2进行取样。在一些实施例中，s/h电路602包括一开关、一电容器和一以操作放大器为基底所组成的放大器。在一些实施例中，s/h电路602包括任何已知的s/h电路。吉林收购电子元器件回收中心上海海谷电子有限公司是一家专业提供电子料回收的公司。

本发明涉及不具有驱动晶体管(即，存取晶体管)的存储单元(例如，mram单元)。而且，存储单元包括调节访问装置，该调节访问装置具有被配置为选择性地对工作mtj器件提供访问的一个或多个调节mtj器件。在一些实施例中，本发明涉及集成芯片。集成芯片包括连接至位线的工作磁隧道结(mtj)器件，工作mtj器件被配置为存储数据状态；以及连接在工作mtj器件和字线之间的调节访问装置，调节访问装置包括被配置为控制提供给工作mtj器件的电流的一个或多个调节mtj器件。在一些实施例中，一个或多个调节mtj器件分别包括固定层、介电阻挡层和通过介电阻挡层与固定层分隔开的自由层。在一些实施例中，调节访问装置还包括连接在第二字线和工作mtj器件之间的第二调节mtj器件，字线和第二字线连接至字线解码器。在一些实施例中，调节mtj器件具有比第二调节mtj器件更大的尺寸。在一些实施例中，调节访问装置还包括连接在第二位线和工作mtj器件之间的第二调节mtj器件，字线连接至字线解码器，并且位线和第二位线连接至位线解码器。在一些实施例中，工作mtj器件不位于存取晶体管器件正上方。在一些实施例中，集成芯片还包括连接在调节mtj器件和工作mtj器件之间的偏置电压线。在一些实施例中。

所述多条栅极线布置在方向上并且在垂直于方向的第二方向上延伸。所述多条金属线形成在栅极层上方的导电层中，其中，所述多条金属线布置在方向上并且在第二方向上延伸。6n条金属线和4n条栅极线形成单元线路结构，其中，n是正整数，并且多个单元线路结构布置在方向上。根据示例实施例，一种制造集成电路的方法，所述方法包括：在半导体基底上方的栅极层中形成多条栅极线，所述多条栅极线布置在方向上并且在垂直于方向的第二方向上延伸；以及在栅极层上方的导电层中形成多条金属线，所述多条金属线布置在方向上并且在第二方向上延伸，使得6n条金属线和4n条栅极线形成单元线路结构，其中，n是正整数，并且多个单元线路结构布置在方向上。根据示例实施例，一种设计集成电路的方法包括：接收定义集成电路的输入数据；设置包括多个标准单元的标准单元库；基于输入数据和标准单元库执行布局和布线；以及基于布局和布线的结果生成定义集成电路的输出数据。所述集成电路包括：半导体基底，多条栅极线，形成在半导体基底上方的栅极层中，所述多条栅极线布置在方向上并且在垂直于方向的第二方向上延伸，以及多条金属线，形成在栅极层上方的导电层中。上海海谷电子有限公司为您提供电子料回收，有想法可以来我司咨询！

但这个发展速度也是非常惊人的。集成电路是一门高科技，它促进了很多门学科的发展，包括自动化、装备生产、精密仪器、微细加工等产业。1美金的芯片所能带动的GDP相当于100美金，而全世界一年的芯片产值所撬动的GDP，相当于中国和美国的GDP之和，而且，这个产业对我们国家的信息安全具有非常重要的作用。中国的芯片市场占了全世界的，是世界上大的芯片需求市场，但自给率却不到10%。从2008年开始，我国的集成电路进口占据了进口商品中大的一部分，甚至超过了石油和粮食。目前，我国集成电路生产技术还比较落后，面临着巨大的挑战。首先，为了降低成本，我们要尽量在单位面积上制造出更多的晶体管，缩小电路板面积。其次，努力提高集成电路的运算速度，这关乎我们所使用的电脑、手机的运算速度。第三，要保证产品性能稳定，保证足够的成品率，避免漏电太大，影响手机等电子设备的续航时间。第四，我们的新兴产品要尽快进入市场，这样才能保证产品有足够的盈利空间，保证充足的资金继续做下一代研发。半导体、晶体管和集成电路技术，通过微型化、自动化、计算机化和机器人化，将从根本上改变人类的生活方式。微电子技术的奥秘。上海海谷电子有限公司为您提供电子料回收，有需求可以来电咨询！吉林收购电子元器件回收中心

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其中形成线路图案的至少一个导电层可以插入在栅极层gtl与列导电层ccl之间，和/或至少一个导电层可以设置在列导电层ccl上方。在一些示例实施例中，集成电路还可以包括形成在栅极层gtl与列导电层ccl之间的行导电层中的多条行金属线，使得行金属线布置在第二方向y上并且在方向x上延伸。在栅极层gtl上方依次设置的导电层可以称为m1层、m2层、m3层、m4层等。行导电层可以对应于m1层或m2层，列导电层ccl可以对应于m2层或m3层。图4a至图4i是用于描述根据示例实施例的用于制造集成电路的图案化工艺的示图。可以参照图4a至图4i描述与单图案化、sadp和saqp相关联的单元线路结构的节距。参照图4a至图4i描述心轴间隔件图案化(themandrelspacerpatterning)作为示例，但是示例实施例不限于特定的图案化工艺。在本公开中，单图案化、sadp和saqp定义如下。单图案化或直接图案化表示形成与光刻工艺中的曝光图案具有相同的平均节距的目标图案。这里，目标图案包括根据示例实施例的单元线路结构中所包含的栅极线和列金属线。sadp表示形成具有与所述曝光图案的1/2平均节距对应的平均节距的目标图案。saqp表示形成具有与所述曝光图案的1/4平均节距对应的平均节距的目标图案。参照图4a。吉林收购电子元器件回收中心

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